型号:

SI1039X-T1-E3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1039X-T1-E3 PDF
产品目录绘图 X-T1-E3 Series SOT-563
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 870mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 165 毫欧 @ 870mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds -
功率 - 最大 170mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商设备封装 SC-89-6
包装 标准包装
其它名称 SI1039X-T1-E3DKR
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